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InGaAs和Ge红外探测器的差异
发布时间:2020-08-19   点击次数:67次

InGaAs和Ge红外探测器的差异

 

InGaAs和Ge光电二极管探测器都普遍应用于红外(近红外)波段。Newport提供各种可溯源NIST的InGaAs和Ge探测器(例如:低功率校准光电二极管探测器918D和818系列)。这些探测器的参数很相近,除了一些关键部分:如分流电阻和芯片电容。然而,这些差异导致了很大的性能和价格差异。

 

分流电阻

分流电阻最hao是无限大,但是每个光电二极管有一个有限值,产生Johnson噪声,这个Johnson噪声跟分流电阻成反比。因此,为了最小化噪声,需要在测量系统中设计最大可能的电阻值。Ge和InGaAs有所不同,InGaAs探测器的分流电阻达到10MΩ量级,而Ge探测器的分流电阻在kΩ量级,小了若干个量级。因此,Ge探测器会比InGaAs探测器呈现出更高的噪声。

 

有效面积越大越好?

有些厂商的Ge探测器有效面积很大,但用户们需注意,更大的有效面积会导致更大的暗电流和更小的分流电阻,越小的分流电阻会引起更高的热噪声,越大的暗电流会引起更高的散粒噪声。Ge的暗电流比InGaAs的暗电流高很多,大的有效面积可能引入高噪声电流。Newport的Ge探测器的有效面积为3mm,相比于5mm的二极管,如果其他都相同,3mm二极管的分流电阻值会大3倍,而暗电流则小3倍。

 

Newport 918D/818系列InGaAsGe探测器的参数对比

 

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