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电光调制器,自由空间型

更新时间:2023-06-08

简要描述:

Thorlabs电光调制器,自由空间型和相位铌酸锂调制器是我们在晶体生长和电光材料方面经验的结晶。我们的电光调制器使用掺氧化镁的铌酸锂,用于高功率工作。调制器有一个SMA RF输入端,直接兼容我们的HVA200高压放大器(请见下方)。我们提供宽带DC耦合和高Q共振型号。

电光调制器,自由空间型

特性

  • 高性能,紧凑封装

  • 宽带DC耦合或高Q共振

  • 2 mm直径通光孔径

  • 掺氧化镁的铌酸锂晶体

  • SMA RF调制输入接头

  • DC到100 MHz

  • 提供定制OEM版本

DC耦合宽带调制器

我们的宽带电光调制器由一个封装在外壳内的电光晶体构成,并经过优化达到J较好的射频性能。射频驱动信号通过SMA RF接头直接连接电光晶体。由外部射频驱动器提供调制要求的驱动电压。电光晶体的调制范围可以从直流到外部射频驱动器的频率极限。关于放大器要求的相关信息,请看规格标签。这些宽带振幅和相位调制器可选-C4*(400 - 600 nm)、-C1(600 - 900 nm)、-C2(900 - 1250 nm)或-C3(1250 - 1650 nm)增透膜。

高Q共振调制器

共振电光调制器以固定频率工作,Thorlabs的设计中包含高Q共振电路。相比宽带电光调制器,共振电光调制器显著降低了工作电压。我们共振调制器可选振幅和相位调制版本,以20 MHz工作,镀有-C1增透膜(600 – 900 nm)。关于镀膜反射率的详细信息,请看曲线标签。我们提供标准和定制镀膜选项,用户还可选从0.1到100 MHz的共振频率。

电光调制器,自由空间型

电光振幅调制器

电光振幅调制器(EO-AM)是一种普克尔盒型调制器,由封装在紧凑外壳中的两个匹配铌酸锂晶体(请看右图)组成,外壳带射频输入接头。对晶体施加电场将改变折射率(寻常光和非寻常光),产生电场相关的双折射效应,以此改变光束的偏振态。电光晶体相当于一个可变波片,其延迟量与施加电场成线性关系。在输出端放置一个线偏振片,通过偏振片的光束强度将随施加电压的线性变化而发生正弦变化。

请注意,工作在-C4波段(400 - 600 nm)的AM调制器仅用于几赫兹以上的AC调制。掺氧化镁的铌酸锂对这个波长范围的光敏感,对施加的DC电场显示出缓慢的负压。光越强,DC场消除得越快。因此,实际上,DC电压不能用于在要求的工作点给调制器施加偏压。但是,可以使用可调波片在需要的工作点给调制器施加光学偏置(关于调制器偏置的详细信息,请看实验观测标签)。

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电光相位调制器

我们的电光相位调制器能够对线偏振入射光提供可调相位差。入射光沿竖直方向线偏振,即晶体的Z轴方向。通过RF输入端在Z轴电极上施加电压,使晶体的非寻常光折射率发生变化,以此使光信号产生相位差。

控制信号可以是DC或随时间变化的RF信号。当控制电压信号随时间变化,光束将受到频率调制,部分基频能量将转到边带中,边带与基频间隔是调制频率的整数倍。转到边带的能量大小由调制深度决定。右图展示了边带的相对强度和调制深度的关系。

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共振电光调制器

我们共振电光调制器具有高Q值,可用标准的实验室函数发生器驱动。调制器中的高Q值共振储能电路可以将标准函数发生器的低水平RF输入电压转成取得全调制深度要求的高电压。这样使得半波驱动电压在633 nm处只有15 V。

共振调制器可选相位和振幅调制版本,工作频率20 MHz,带宽1 MHz。它们具有用于600到900 nm的C1膜。我们也可以提供定制服务,用户可选从0.1到100 MHz的共振频率和各种增透膜。

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