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Thorlabs 硅雪崩光电探测器,光纤耦合型

更新时间:2025-06-16

简要描述:

Thorlabs 硅雪崩光电探测器,光纤耦合型
特性
波长范围从400到1000 nm
通过温度补偿在18至28 °C范围内提供稳定性≤±3%的M因子
M因子从10到100的连续可变增益
使用M12 x 0.5螺纹光纤接头转接件(下面有售)实现稳固的光纤耦合
使用8-32 / M4 x 0.7通用螺纹孔从三个方向安装接杆
包含LDS12B电源

Thorlabs 硅雪崩光电探测器,光纤耦合型

Thorlabs 硅雪崩光电探测器,光纤耦合型Thorlabs 硅雪崩光电探测器,光纤耦合型

特性

  • 波长范围从400到1000 nm

  • 通过温度补偿在18至28 °C范围内提供稳定性≤±3%的M因子

  • M因子从10到100的连续可变增益

  • 使用M12 x 0.5螺纹光纤接头转接件(下面有售)实现稳固的光纤耦合

  • 使用8-32 / M4 x 0.7通用螺纹孔从三个方向安装接杆

  • 包含LDS12B电源

Thorlabs提供光敏范围从400到1000 nm的光纤耦合型硅雪崩光电探测器(APD)。这个带温度补偿的光电探测器具有可调增益以及从DC到400 MHz的可用带宽。它还具有M12 x 0.5外螺纹,在使用下面销售的光纤接头转接件时能实现稳固的光纤耦合。由于相比标准PIN探测器具有更高的灵敏度和更低的噪声,它非常适合光功率水平较低的应用。

一般而言,雪崩光电二极管利用内部增益机制增加灵敏度。在二极管上施加高反向偏压,以此形成强电场。当一个入射光子产生一对电子-空穴时,电场使电子加速,导致由碰撞电离产生次级电子。这种电子雪崩能产生几百倍的增益因子,也叫做倍增因子M,它和反向偏压以及温度相关的。一般而言,M因子随温度降低而增大,随温度升高而减小。类似地,M因子将在反向偏置电压升高时增大,在反向偏置电压降低时减小。

APD431A光电探测器提供从DC到400 MHz的可用带宽。它有一个集成的热敏电阻,可通过调节雪崩光电二极管的偏压在23 ± 5 °C范围内维持±3%或更好的M因子稳定性。它还具有可变的增益,通过外壳右侧的旋钮控制,能使M因子从10到100变化。

由于机械和电学连接的方向,加上紧凑的设计,APD431A探测器能安装在狭窄的空间中。三个通用的8-32 / M4 x 0.7安装孔进一步确保它能轻松地集成在复杂的机械装置中。

光纤耦合和机械转接件
APD431A光电探测器设计为已有的APD430A自由空间雪崩光电探测器提供稳固的光纤耦合功能。它有一个M12 x 0.5外螺纹法兰,兼容我们的M12 x 0.5螺纹光纤接头转接件(下面有售),能快速实现光纤耦合,并具有高可重复性。转接件适合单模光纤以及200 μm纤芯的多模光纤;但它们也能用于所有光纤,不过耦合效率会有所降低。这些转接件可用于FC/APC、FC/PC、LC/PC或SC/PC光纤接头,还有用于350 - 700 nm或600 - 1050 nm的镀膜。

光纤耦合硅雪崩光电探测器

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